國家重點(diǎn)專(zhuān)項藍光激光器項目,由清華大學(xué)(牽頭)、北京大學(xué)、格恩半導體、凱普林光電、工信部電子五所、炬光科技等10家優(yōu)勢科研單位和領(lǐng)軍企業(yè)組成聯(lián)合攻關(guān)團隊,將在已有深厚研究尤其產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎上,全面打通制造用大功率GaN基藍光激光光源技術(shù)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新鏈,實(shí)現芯片等關(guān)鍵元器件自主研發(fā),同時(shí)提升光源功率、光束質(zhì)量和可靠性等至國際先進(jìn)水平,助力實(shí)現全產(chǎn)業(yè)鏈主體自主安全可控。大功率藍光半導體激光光源,為銅、金等有色金屬材料的高質(zhì)量激光加工提供了新技術(shù),已成為激光制造領(lǐng)域國際競爭制高點(diǎn)。針對位于產(chǎn)業(yè)鏈源頭的大功率 GaN 基藍光激光二極管芯片等關(guān)鍵核心元器件長(cháng)期由日歐美把持,以及在藍光光源功率、光束質(zhì)量、可靠性等關(guān)鍵性能上,我國也與國際水平、產(chǎn)業(yè)需求差距顯著(zhù)的問(wèn)題。
該項目于2023年申報,2023年國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“增材制造與激光制造”重點(diǎn)專(zhuān)項“圍繞基礎理論和前沿技術(shù)、核心功能部件、關(guān)鍵技術(shù)與裝備、典型應用示范”等4個(gè)技術(shù)方向,其中制造用藍光半導體激光器(共性關(guān)鍵技術(shù)類(lèi))為核心功能部件內容。該項目負責人李洪濤,為清華大學(xué)電子工程系副研究員,持續專(zhuān)注于III-V族化合物半導體材料和光電子器件及相關(guān)工程化關(guān)鍵技術(shù)研究,涵蓋外延、芯片、封裝和光學(xué)系統設計等全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù),取得多項重要成果,并應用于重大工程中。獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎1項,支撐團隊獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎2項、科技進(jìn)步二等獎1項。
該專(zhuān)項的立項實(shí)施必然會(huì )對藍綠光以及更短波段的紫外半導體激光器研究及產(chǎn)業(yè)化提供技術(shù)支撐,將會(huì )強力的推動(dòng)我國半導體激光器整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展,也將填補第三代半導體產(chǎn)業(yè)在激光器領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)短板。
素材來(lái)源:清華大學(xué)官網(wǎng)
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