?光刻工藝是半導體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結構，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。

自1961年第一臺光刻機誕生以來(lái)，光刻機經(jīng)歷了接觸式→接近式→投影式的發(fā)展路線(xiàn)，如今以投影式中的步進(jìn)掃描式光刻機為主流。

在不同的階段，每一代光刻機都遇到了前所未有的挑戰與難題，與此同時(shí)，光刻技術(shù)也在這個(gè)過(guò)程中不斷演進(jìn)。

01

光刻技術(shù)的發(fā)展路徑

接觸式光刻技術(shù)

接觸式光刻技術(shù)出現于20世紀60年代，是小規模集成電路時(shí)期最主要的光刻技術(shù)，有著(zhù)良率低、成本高的特點(diǎn)。

接觸式光刻示意圖

接觸式光刻技術(shù)中掩膜版與晶圓表面的光刻膠直接接觸，一次曝光整個(gè)襯底，掩膜版圖形與晶圓圖形的尺寸關(guān)系是1:1，分辨率可達亞微米級。接觸式可以減小光的衍射效應，但在接觸過(guò)程中晶圓與掩膜版之間的摩擦容易形成劃痕，產(chǎn)生顆粒沾污，降低了晶圓良率及掩膜版的使用壽命，需要經(jīng)常更換掩膜版，故接近式光刻技術(shù)得以引入。

接近式光刻技術(shù)

接近式光刻技術(shù)廣泛應用于20世紀70年代，接近式光刻技術(shù)中的掩膜版與晶圓表明光刻膠并未直接接觸，留有被氮氣填充的間隙。

接近式光刻示意圖

接近式光刻技術(shù)的特點(diǎn)是最小分辨尺寸與間隙成正比，間隙越小，分辨率越高。缺點(diǎn)是掩膜版和晶圓之間的間距會(huì )導致光產(chǎn)生衍射效應，因此接近式光刻機的空間分辨率極限約為2u m。隨著(zhù)特征尺寸縮小，出現了投影光刻技術(shù)。

投影式光刻技術(shù)

20世紀70年代中后期出現投影光刻技術(shù)，可以有效提高分辨率。

投影式光刻示意圖

基于遠場(chǎng)傅里葉光學(xué)成像原理，在掩膜版和光刻膠之間采用了具有縮小倍率的投影成像物鏡。早期掩膜版與襯底圖形尺寸比為1:1，隨著(zhù)集成電路尺寸的不斷縮小，出現了縮小倍率的步進(jìn)重復光刻技術(shù)。

步進(jìn)重復光刻技術(shù)

步進(jìn)重復光刻示意圖

步進(jìn)重復光刻主要應用于0.25微米以上工藝，光刻時(shí)掩膜版固定不動(dòng)，晶圓步進(jìn)運動(dòng)，完成全部曝光工作。隨著(zhù)集成電路的集成度不斷提高，芯片面積變大，要求一次曝光的面積增大，促使更為先進(jìn)的步進(jìn)掃描光刻機問(wèn)世。

步進(jìn)掃描式光刻機

步進(jìn)掃描光刻示意圖

當制程工藝發(fā)展到0.25微米后，步進(jìn)掃描式光刻機的掃描曝光視場(chǎng)尺寸與曝光均勻性更具優(yōu)勢，逐步成為主流光刻設備（DUV和EUV）。其利用 26mm x 8mm 的狹縫，采用動(dòng)態(tài)掃描的方式（掩模版與晶圓片同步運動(dòng)），可以實(shí)現 26mm x 33mm 的曝光場(chǎng)。當前曝光場(chǎng)掃描完畢后，轉移至下一曝光場(chǎng)，直至整個(gè)晶圓曝光完畢。

自1990年SVGL公司推出Micrascan I步進(jìn)掃描光刻機以來(lái)，光刻機產(chǎn)業(yè)就進(jìn)入了DUV時(shí)代，通過(guò)多重曝光等技術(shù)手段，一直到7nm芯片量產(chǎn)，DUV都是市場(chǎng)的統治者。

然而隨著(zhù)制程演進(jìn)到5nm，DUV和多重曝光技術(shù)的組合也難以滿(mǎn)足量產(chǎn)需求了，EUV光刻機就成為前道工序的必需品。之后制程節點(diǎn)不斷演進(jìn)，行業(yè)對EUV光刻機的要求越來(lái)越高，對其發(fā)展前景和發(fā)展路徑也提出了更多期待。

對于未來(lái)光刻技術(shù)的發(fā)展，業(yè)界正積極尋找高精度且經(jīng)濟的方法，以在晶圓上生成圖案。多家公司/研究機構已公布了其研究進(jìn)展，一起來(lái)看看他們?yōu)楣饪碳夹g(shù)帶來(lái)了哪些新的選擇。

02

選擇之一：High NA EUV光刻機

光刻機所使用的光源波長(cháng)從最早的紫外光源(ultraviolet, UV)，如g線(xiàn)(波長(cháng)436 nm)、i線(xiàn)(波長(cháng)365 nm)光源，發(fā)展到以KrF(波長(cháng)248 nm)、ArF(波長(cháng)193 nm)為代表的深紫外光源(deep ultraviolet, DUV)，再到現在波長(cháng)13.5 nm的極紫外光源(extreme ultraviolet, EUV)。

隨著(zhù)光源波長(cháng)的不斷縮短，光刻機單次曝光分辨率不斷提升，目前最先進(jìn)的EUV光刻機曝光分辨率為13納米，可用于3 nm制程芯片的生產(chǎn)。

如今，臺積電、三星、英特爾等芯片制造公司之間的競爭已進(jìn)入先進(jìn)制程賽道。在此過(guò)程中，EUV極紫外光刻設備也已經(jīng)成為各廠(chǎng)商爭奪的焦點(diǎn)。

據悉，2024-2025年，臺積電將接受60臺EUV光刻機，預估總費用將超122億美元；英特爾率先擁抱全球第一臺High NA EUV光刻機；三星也在向High NA EUV光刻機躍躍欲試，試圖追趕臺積電。

然而追逐最先進(jìn)的光刻機的同時(shí)，是喜悅的也是痛苦的。

喜悅在于，最先得到最先進(jìn)的光刻機意味著(zhù)可以極大地提升其芯片制造能力和效率，幫助公司在未來(lái)先進(jìn)制程技術(shù)的競爭中取得先行優(yōu)勢。

痛苦在于，EUV高昂的售價(jià)令各大芯片廠(chǎng)商苦不堪言。據悉，目前0.33NA EUV光刻機的售價(jià)約為1.81億美元每臺，新一代的High-NA（0.55NA）EUV倍增至2.9-3.62億美元一臺。而進(jìn)入1納米以下的埃米世代后，ASML將計劃推出更先進(jìn)Hyper-NA（0.75NA）EUV光刻機設備，其售價(jià)則有可能超過(guò)7.24億美元。

這一方法顯然足夠精細但不夠經(jīng)濟。因此業(yè)內也有不少機構正在探究High NA EUV的降本之法，他們將主要精力放在了提升光源分辨率上。

ASML當前所采用的激光等離子體EUV光源（EUV-LPP）價(jià)格昂貴，效率低下，光電轉化率僅為3%-5%。要提升功率，有幾條發(fā)展路徑可供選擇：有人利用傳統的LPP光源系統，在已有基礎上，不斷增加功率；還有人采用分時(shí)高功率光纖激光器射擊液態(tài)錫靶技術(shù)，用這種方法制造的光源，其光源功率有望超過(guò)傳統LPP數倍。

使用能量回收型直線(xiàn)加速器（ERL）的FEL（自由電子激光）方案也是一種辦法。日本高能加速器研究組織（KEK）的研究人員認為，如果利用粒子加速器的力量，EUV光源的獲取可能會(huì )更便宜、更快、更高效。

FEL利用電子在磁場(chǎng)中的運動(dòng)產(chǎn)生超強激光，其效率比普通EUV光源高出一倍，能量轉化率超過(guò)30%，且擁有成本低、功率大等優(yōu)勢。在電力消耗方面，FEL光源也要遠低于EUV-LPP光源。此外，EUV-FEL還可升級為BEUV-FEL，以使用更短的波長(cháng)（6.6-6.7 nm）實(shí)現更精細的圖案化。它還可以可變地控制FEL光的偏振，以實(shí)現High NA光刻。

據悉，目前業(yè)界已經(jīng)設計了一種基于能量回收直線(xiàn)加速器（ERL）的FEL光源用于未來(lái)的光刻，并且已經(jīng)研究和開(kāi)發(fā)了主要組件。FEL光源在EUV功率、升級到BEUV-FEL、High NA光刻的偏振控制、電力消耗和每臺光刻機的成本方面具有許多優(yōu)勢。

EUV-FEL光源也被認為是未來(lái)光刻最有前途的光源。

不過(guò)，對于光刻技術(shù)的未來(lái)發(fā)展，業(yè)內還有不少人持有不同看法。

03

選擇之二：納米壓印技術(shù)（NIL）

納米壓印和光刻技術(shù)的“較量”由來(lái)已久。

納米壓印是基于高分子模壓技術(shù)的微納加工技術(shù)。納米壓印需要一個(gè)模板，就像活字印刷的模板上刻著(zhù)要印的字，納米壓印的模板上是需要制造的納米結構，然后通過(guò)加熱加壓，把模板上的納米結構復制到納米壓印的材料里。

形象一點(diǎn)可以將其類(lèi)比為活字印刷術(shù)。

與光刻技術(shù)相比，納米壓印技術(shù)具有以下優(yōu)勢：

成本更低：相比光刻技術(shù)，納米壓印技術(shù)的成本更低，主要原因是納米壓印設備相對便宜且工序簡(jiǎn)單，更易于批量操作。

精度更高：通過(guò)精心設計和制造高精度的“印章”，納米壓印技術(shù)可以實(shí)現優(yōu)于10nm的高精度電路圖印制，為芯片制造提供更高的精度保障。

更廣泛的應用領(lǐng)域：納米壓印技術(shù)不僅適用于邏輯芯片和存儲芯片的制造，還可以廣泛應用于DOE、AR/VR衍射光波導、生物芯片、LED等領(lǐng)域的量產(chǎn)，具有較大的市場(chǎng)潛力。

目前納米壓印在LED、AR、VR等領(lǐng)域被廣泛運用。納米壓印已發(fā)展二十余年，但在相當長(cháng)一段時(shí)間里，由于納米壓印的制成品缺陷多、良率低，不太被半導體領(lǐng)域接受，光刻技術(shù)則發(fā)展得更快、更好。

而在近十年，隨著(zhù)納米壓印對工藝的優(yōu)化和控制精度上了一個(gè)臺階，一度被光刻否定的納米壓印，迎來(lái)了高光時(shí)刻。

不過(guò)納米壓印技術(shù)也有它的短板，它是一種物理接觸式的加工技術(shù)。在物理接觸的過(guò)程中，容易產(chǎn)生一些外部缺陷。而半導體行業(yè)對缺陷的容忍度非常低。業(yè)界有一部分人認為納米壓印是非常有前景的技術(shù)，還有一部分人認為它的缺陷率比較高，不適合半導體加工。

佳能公司在傳統的光刻領(lǐng)域落后于A(yíng)SML公司之后，一直在半導體制造方向尋找新的突破點(diǎn)，它的探究重點(diǎn)之一就是納米壓印技術(shù)。

去年10月中旬，佳能宣布推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導體制造設備，可制造5nm芯片。據佳能公司CEO透露，設備售價(jià)將“比ASML的EUV光刻機少一位數”。

璞璘科技創(chuàng )始人葛海雄去年年底曾表示：從最近的報道來(lái)看，佳能公司的納米壓印各項技術(shù)指標已經(jīng)與DUV的光刻技術(shù)持平，有一些指標甚至達到了EUV的光刻技術(shù)。

關(guān)于納米壓印技術(shù)的未來(lái)，葛海雄表示，依據佳能提供的技術(shù)參數、指標，納米壓印有可能為半導體領(lǐng)域創(chuàng )造一些有益的補充，因為ASML、尼康的半導體光刻設備已經(jīng)在產(chǎn)線(xiàn)上被廣泛采用了，納米壓印可以看成是光刻技術(shù)的衍生。

因此，納米壓印技術(shù)也被稱(chēng)為未來(lái)半導體制造的核心技術(shù)。

目前，不少科研機構和廠(chǎng)商都加大了納米壓印上的投入。除了佳能，國外廠(chǎng)商如EV Group、Nanonex Corp、Obducat AB、SUSS MicroTec等公司已出產(chǎn)納米壓印光刻設備。國內也有不少廠(chǎng)商在納米壓印賽道上加緊布局，如青島天仁微納、蘇州蘇大維格、歌爾股份、蘇州光舵微納、昇印光電、新維度微納、埃眸科技等。

獲得華為哈勃青睞的國內頭部廠(chǎng)商天仁微納目前產(chǎn)品涵蓋整機設備、模具、壓印材料，研發(fā)了多款高精度紫外納米壓印設備，已經(jīng)實(shí)現最大150／300mm基底面積上高精度（優(yōu)于10nm ）、高深寬比（優(yōu)于10比1）納米結構復制量產(chǎn)。

對于納米壓印技術(shù)最先落地的領(lǐng)域，或許是存儲芯片。

在芯片制造領(lǐng)域，目前最契合納米壓印技術(shù)的，就是存儲芯片，尤其是3D NAND、DRAM等存儲芯片。從佳能規劃的納米壓印設備路線(xiàn)圖來(lái)看，納米壓印應用將從3D NAND存儲芯片開(kāi)始，逐漸過(guò)渡到DRAM，最終實(shí)現CPU等邏輯芯片的制造。

存儲廠(chǎng)商在芯片制造上對成本把控極為嚴苛，同時(shí)設計的余量可以承受一定的缺陷而不影響成品率，放寬對缺陷的要求，所以目前已經(jīng)有不少存儲廠(chǎng)商計劃使用納米壓印技術(shù)來(lái)制造存儲芯片。

鎧俠、東芝等日系存儲廠(chǎng)商很早便開(kāi)始布局納米壓印技術(shù)。今年3月，美光公司宣布計劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù)，從而進(jìn)一步降低生產(chǎn)DRAM存儲芯片的單層成本。此前，內存大廠(chǎng)SK海力士也引入了佳能納米壓印機，用于進(jìn)行3D NAND的生產(chǎn)測試。

納米壓印技術(shù)與存儲芯片相結合，將大大提高存儲廠(chǎng)商的生產(chǎn)效率，并降低成本。納米壓印設備在芯片制造領(lǐng)域大規模商用化后，其優(yōu)勢將更加明顯。

因此納米壓印技術(shù)也被稱(chēng)為最有機會(huì )代替現有光刻技術(shù)的技術(shù)手段。

04

選擇之三：電子束光刻（EBL&MEBL）技術(shù)

說(shuō)到電子束光刻技術(shù)，在這里要再提及一下光刻技術(shù)的原理。

眾所周知，光刻是整個(gè)微加工工藝中技術(shù)難度最大，也是最為關(guān)鍵的技術(shù)步驟。所謂光刻就是通過(guò)對光束進(jìn)行控制，在一層薄薄的光刻膠表面“刻蝕”出我們需要的圖案，光束照過(guò)的位置光刻膠的化學(xué)性質(zhì)會(huì )發(fā)生變化，通過(guò)顯影液的浸泡會(huì )使照射過(guò)的部分去除（正膠）或者保留（負膠）。

光源的波長(cháng)是影響光刻精度的主要原因，由于光源波長(cháng)的限制，X射線(xiàn)曝光可達到50nm左右的精度，深紫外光源的曝光精度在100nm左右，而電子的波長(cháng)較小，因而電子束光刻的加工精度可以達到10nm以?xún)取?/span>

電子束光刻以其分辨率高、性能穩定，成本相對較低的特點(diǎn)，因而成為人們最為關(guān)注的下一代光刻技術(shù)之一。

電子束光刻按照曝光方式劃分可分為兩種，投影式曝光與直寫(xiě)式曝光。投影式曝光通過(guò)控制電子束照射掩模圖形，將掩模圖形投影至光刻膠表面，把掩模板上的圖案轉移到光刻膠上，原理類(lèi)似于照相機，拍攝對象好比掩模板，光刻膠就像是膠卷，通過(guò)光線(xiàn)的照射把拍攝對象投影到膠卷上。

直寫(xiě)式光刻不需要掩模版，通過(guò)磁場(chǎng)直接控制電子束斑按照預設的軌跡在光刻膠表面照射，完成圖案轉移，就像是畫(huà)畫(huà)，鉛筆類(lèi)似于電子束，紙類(lèi)似于光刻膠，而我們的手類(lèi)似于磁場(chǎng)，通過(guò)手控制鉛筆的移動(dòng)完成圖畫(huà)的繪制。

由于基于掩膜的傳統光刻技術(shù)，其成本正呈指數級攀升。無(wú)掩膜的電子束光刻技術(shù)則提供了補充性選項，因為不需要昂貴的光掩模，直寫(xiě)技術(shù)很有吸引力。但單光束電子束光刻的吞吐量太慢，對于批量 IC 生產(chǎn)來(lái)說(shuō)成本太高。分析人士也直言，直寫(xiě)真正的問(wèn)題是吞吐量。直接寫(xiě)入光刻技術(shù)，即使有數十萬(wàn)甚至一百萬(wàn)個(gè)光束，但對于晶圓光刻來(lái)說(shuō)也太慢了。

因此，單光束直寫(xiě)工具只能用于復合半導體和光子學(xué)等小眾應用。

為了解決寫(xiě)入慢的難題，Multibeam給出了它的答案。

近日，電子束光刻技術(shù)的主要參與者M(jìn)ultibeam推出了 MB Platform，——全球首創(chuàng )的多柱電子束光刻 (MEBL：Multicolumn E-Beam Lithography )。據介紹，其新光刻系統是專(zhuān)為大規模生產(chǎn)而打造的系統。全自動(dòng)精密圖案化技術(shù)將用于快速成型、先進(jìn)封裝、高混合生產(chǎn)、芯片 ID、復合半導體和其他應用。Multibeam表示，公司剛發(fā)布的平臺將以新的生產(chǎn)力優(yōu)勢徹底改變了電子束光刻，同時(shí)實(shí)現了高分辨率、精細特征、寬視野和大景深。

Multibeam 首席執行官兼董事長(cháng) David K. Lam 在接受采訪(fǎng)時(shí)表示，Multibeam 可以使芯片制造的某些部分的生產(chǎn)效率比現有系統高出 100 倍。

在Multibeam 看來(lái)，這是一款改變了游戲規則的設備。不過(guò)，早在80年代，當時(shí)人們普遍認為光學(xué)曝光已經(jīng)走到了盡頭，電子束光刻是最有前景的替代手段，然而，30多年過(guò)去了，電子束光刻依然無(wú)法替代光學(xué)曝光。在兩種光刻技術(shù)的發(fā)展方面逐漸形成了相互補充的格局。

隨著(zhù)科技的日新月異，新型光刻技術(shù)的涌現無(wú)疑為行業(yè)注入了新的活力。未來(lái)，這些創(chuàng )新的光刻技術(shù)將給半導體行業(yè)帶來(lái)哪些驚喜，我們拭目以待！

       原文標題 : 光刻技術(shù)，有了新選擇

來(lái)源： OFweek